在过去的几个月里，三星的晶圆代工业务一直处于风暴的中心。今年年初有消息称三星电子管理层决定调查半导体工艺相关问题，随后爆发员工泄密事件。随后，先进工艺的产量和效率问题导致高通和英伟达将新产品订单转移到TSMC。近期统计显示三星因订单流失成为十大工厂中唯一一家负增长企业。
最近[/k0/]的实际负责人李在镕去了欧洲，其中一项议程就是去荷兰ASML洽谈双方未来的合作，以便获得更多的极紫外(EUV)光刻机。据韩联社报道，预计三星将于下周宣布量产3nm工艺，在新一代工艺的生产时间上击败TSMC。
三星3nm工艺节点将引入全新的GAAFET全能栅晶体管工艺。与现有FinFET相比，可以实现30%的性能提升、50%的功耗降低和45%的面积减小。相比之下，TSMC的N3工艺节点仍然会使用FinFET，但会引入FINFLEX技术，量产时间会在今年下半年，传闻是8月份。
在月初的欧洲之行后，李在镕说:
“第一是技术，第二是技术，第三是技术。”
虽然三星已经下定决心要在先进半导体技术的研发上投入更多的资金，以便在未来几年内赶上TSMC，但前面仍然有许多困难。很多消息渠道显示，即使三星先量产3nm工艺，也会面临客户订单不足的尴尬。Business Korea表示三星将在2025年量产2nm工艺，在下一代半导体工艺上与TSMC并驾齐驱。
